產品資料
半導體金屬薄膜現(xiàn)場快速評價費米能級測量儀
產品名稱: 半導體金屬薄膜現(xiàn)場快速評價費米能級測量儀
產品型號: FAC-2
產品特點: 半導體金屬薄膜現(xiàn)場快速評價費米能級測量儀日本理研（Riken Keiki）FAC-2 是一款“大氣環(huán)境中用即速費米能級測量儀"，采用開爾文（Kelvin）探針法，可在 10 秒內完成一次測量，無需抽真空，也無需精確調整探針-樣品間距，適合半導體、金屬薄膜、催化劑等表面費米能級（功函數(shù)）的現(xiàn)場快速評價。1. 核心規(guī)格測量方式：開爾文法（振動電容法）能量范圍：3.4–6.2 eV（以功函數(shù) 5
半導體金屬薄膜現(xiàn)場快速評價費米能級測量儀 的詳細介紹
半導體金屬薄膜現(xiàn)場快速評價費米能級測量儀
半導體金屬薄膜現(xiàn)場快速評價費米能級測量儀
日本理研（Riken Keiki）FAC-2 是一款“大氣環(huán)境中用即速費米能級測量儀"，采用開爾文（Kelvin）探針法，可在 10 秒內完成一次測量，無需抽真空，也無需精確調整探針-樣品間距，適合半導體、金屬薄膜、催化劑等表面費米能級（功函數(shù)）的現(xiàn)場快速評價。
1. 核心規(guī)格
- 測量方式：開爾文法（振動電容法）
- 能量范圍：3.4–6.2 eV（以功函數(shù) 5 eV 的金標樣校準時）
- 重復再現(xiàn)性：≤ ±0.02 eV（標準偏差）
- 單次測量時間：≤ 10 s（金屬樣品典型值）
- 有效測試面積：φ10 mm
- 樣品形態(tài)：塊體、薄膜、粉末均可；大 30 mm × 30 mm，厚度無特殊限制
- 測量環(huán)境：大氣（10–35 °C，≤ 60 %RH），無需真空或惰性氣體保護
2. 系統(tǒng)構成
- 主機：內置振動探針、鎖相放大器、能級掃描光源及控制電路
- 參考電極：鍍金不銹鋼探針，可單獨更換
- 軟件：實時顯示費米能級（eV）及功函數(shù)變化曲線，可導出 CSV
- 數(shù)據存儲：內置 1 000 組測量值，支持 USB 閃存拷貝
3. 典型應用
- 半導體晶圓、太陽能電池、FET 器件的表面費米能級分布測繪
- 金屬/氧化物催化劑在反應前后的功函數(shù)變化追蹤
- 剛成膜后金屬表面隨時間氧化的原位監(jiān)測
- 材料界面接觸電位差（CPD）與腐蝕電位關聯(lián)研究
4. 安裝與維護
- 供電：AC 100 V 50/60 Hz，功率約 30 W
- 外形/重量：235 × 330 × 408 mm（W×H×D，顯微鏡臂收起時），約 12 kg
- 年度校準：使用附帶金標樣進行兩點校準（5.0 eV 與 4.2 eV），無需返廠
- 耗材：探針壽命 > 5 000 次，臟污可用無水乙醇棉簽輕擦
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